湖南師范大學碩士研究生入學考試自命題科目考試大綱不僅能給你一個復習的方向，還能幫助你梳理整個知識脈絡(luò)，方便記憶。今天，小編為大家整理了“2023考研大綱：湖南師范大學2023年碩士研究生入學考試自命題科目《電子線路》考試大綱”的相關(guān)內(nèi)容，希望對大家有所幫助！
2023年碩士研究生入學考試自命題考試大綱（復試）
考試科目代碼:[F215]
考試科目名稱:電子線路
一、考核目標
（一）模擬部分：考查考生對模擬電子技術(shù)基本概念、基本電路工作原理、分析方法和設(shè)計思路的掌握程度，以及綜合運用模擬電子技術(shù)知識解決問題的能力。
（二）數(shù)字部分：考查考生對《數(shù)字電路》的基本內(nèi)容、基本原理的掌握情況，以及對邏輯電路的分析方法和設(shè)計方法的掌握程度。
二、試卷結(jié)構(gòu)
（一）考試時間：60分鐘，滿分：100分
（二）題型結(jié)構(gòu)
1、選擇題：10小題，每小題2分，共20分
2、填空題：10小題，每小題2分，共20分
3、問答題：2小題，共16分
4、分析計算題：4小題，共44分
三、答題方式
答題方式為閉卷筆試
四、考試內(nèi)容
（一）模擬部分，50%（50分）
1、運算放大器
考試內(nèi)容：
信號及其描述；放大電路模型與主要性能指標；理想運放，虛短、虛斷；同相、反相放大電路及應(yīng)用。
考試要求：
（1）掌握信號源的戴維南和諾頓等效電路。
（2）了解信號的時域與頻域描述方法。
（3）掌握放大電路模型及主要性能指標（增益、輸入電阻、輸出電阻、上下限截止頻率）概念及計算方法。
（4）掌握利用“虛短”和“虛斷”概念分析運算電路的方法。
（5）掌握利用理想運放構(gòu)成同相放大、反相放大、求差、求和、積分、微分電路的方法。
2、二極管及應(yīng)用
考試內(nèi)容：
半導體基礎(chǔ)、PN結(jié)、二極管。
考試要求：
（1）了解本征半導體、雜質(zhì)半導體和PN結(jié)的形成。
（2）熟悉漂移、擴散，耗盡層、空間電荷區(qū)等概念；了解PN結(jié)基本特性。
（3）熟練掌握二極管理想模型、恒壓降模型、小信號模型，并能進行二極管電路的分析與計算。
（4）掌握穩(wěn)壓管伏安特性、等效電路及簡單應(yīng)用。
3、雙極結(jié)型三極管及放大電路
考試內(nèi)容：
BJT；BJT的V-I特性曲線；靜態(tài)工作點及其穩(wěn)定；H參數(shù)小信號模型；BJT放大電路（包括組合放大）；放大電路頻率響應(yīng)。
考試要求：
（1）了解BJT結(jié)構(gòu)、符號表示、工作原理及電流分配關(guān)系。
（2）了解BJT的V-I特性曲線，三個工作區(qū)域條件與特點。
（3）熟練畫出放大電路的直流通路、交流通路、小信號等效電路。
（4）掌握圖解法分析失真情況。
（5）掌握BJT放大電路靜態(tài)工作點，動態(tài)工作參數(shù)的計算方法。
（6）了解溫度對靜態(tài)工作點的影響，掌握射極偏置電路穩(wěn)定靜態(tài)工作點。
（7）掌握BJT各種組態(tài)放大電路的特點。
（8）掌握兩級放大電路的交直流等效電路的分析與計算。
（9）了解BJT高頻小信號模型，共射放大電路的頻率響應(yīng)分析方法。
（10）掌握波特圖的繪制方法，根據(jù)波特圖確定上、下限頻率，中頻電壓增益等參數(shù)。
4、場效應(yīng)管放大電路
考試內(nèi)容：
MOSFET、JFET及其放大電路。
考試要求：
（1）了解MOSFET、JFET的結(jié)構(gòu)、符號表示以及工作原理，輸出特性，轉(zhuǎn)移特性。
（2）掌握導電溝道概念、溝道調(diào)制效應(yīng)以及場效應(yīng)管的三個工作區(qū)域條件。
（3）掌握MOSFET主要參數(shù)（直流參數(shù)、交流參數(shù)）及其意義。
（4）掌握場效應(yīng)管構(gòu)成的各種組態(tài)的放大電路的靜態(tài)工作點計算、利用低頻小信號模型分析與計算動態(tài)性能指標。
（5）理解各種組態(tài)放大電路在放大倍數(shù)、輸入輸出阻抗、帶寬等性能特性。
5、模擬集成電路
考試內(nèi)容：
電流源電路、差分放大電路、集成運放的主要參數(shù)。
考試要求：
（1）掌握典型電流源電路的分析：鏡像電流源、微電流源和多路電流源等。
（2）掌握差分式放大電路結(jié)構(gòu)、差模信號、共模信號概念。
（3）掌握四種接法射極耦合差分式放大電路主要技術(shù)指標的計算。
（4）理解共模抑制比的概念及其計算。
（5）了解集成運放的主要參數(shù)。
（6）了解放大電路中噪聲種類；掌握電阻熱噪聲特點，噪聲系數(shù)概念。
6、反饋放大電路
考試內(nèi)容：
反饋的基本概念和分類、負反饋放大電路的四種組態(tài)、負反饋對放大電路性能的影響、深度負反饋放大電路的近似計算、負反饋放大電路的自激振蕩及穩(wěn)定工作條件。
考試要求：
（1）掌握與理解開環(huán)與閉環(huán)、正反饋與負反饋、直流反饋與交流反饋、電壓反饋與電流反饋、串聯(lián)反饋與并聯(lián)反饋等概念。
（2）掌握瞬時極性法判斷正、負反饋。
（3）掌握四種負反饋電路組態(tài)的判斷。
（4）掌握深度負反饋條件下放大電路電壓增益、輸入、輸出電阻的計算。
（5）理解負反饋放大電路放大倍數(shù)在不同組態(tài)下的物理意義。
（6）掌握負反饋對放大電路性能的影響。
（7）了解負反饋放大電路自激振蕩及穩(wěn)定工作條件，穩(wěn)定裕度的計算方法。
7、功率放大電路
考試內(nèi)容：
功率放大電路特點、乙類、甲乙類互補對稱功率放大電路。
考試要求：
（1）了解功率放大電路特點。
（2）掌握交越失真概念。
（3）掌握乙類、甲乙類互補對稱功率放大電路的性能分析及功率BJT選型。
8、信號處理與信號產(chǎn)生電路
考試內(nèi)容：
有源濾波電路，正弦波振蕩電路、電壓比較器。
考試要求：
（1）掌握有源濾波電路組成、特點及分析方法。
（2）掌握正弦波振蕩電路的起振與平衡條件。
（3）掌握RC和LC正弦波振蕩電路組成、工作原理與典型電路計算。
（4）掌握單限、遲滯比較器的電路組成、工作原理和技術(shù)指標計算。
9、直流穩(wěn)壓電源
考試內(nèi)容：
直流穩(wěn)壓電源組成、單相橋式整流濾波電路、串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路、三端集成穩(wěn)壓器。
考試要求：
（1）了解直流穩(wěn)壓電源組成及各部分作用。
（2）掌握單相橋式整流濾波電路工作原理，性能指標、器件選型參數(shù)計算。
（3）掌握串聯(lián)反饋穩(wěn)壓電路組成、穩(wěn)壓原理，計算輸出電壓、調(diào)整管極限參數(shù)。
（4）掌握常用三端集成穩(wěn)壓器芯片（78XX,79XX，LM317）的典型應(yīng)用。
（二）數(shù)字部分，50%（50分）
1、數(shù)制和碼制
考試內(nèi)容：
數(shù)字信號的描述；數(shù)制和碼制的基本概念與表示方法；不同數(shù)制和編碼的轉(zhuǎn)換；二進制數(shù)的算術(shù)運算。
考試要求：
（1）了解數(shù)字集成電路的特點，數(shù)字信號的描述方法。
（2）掌握十進制、二進制、八進制、十六進制及不同數(shù)制之間的相互轉(zhuǎn)換。
（3）掌握二進制有符號數(shù)原碼、反碼和補碼的概念及補碼運算規(guī)則。
（4）掌握8421BCD碼、余3碼、格雷碼和ASCII碼
2、邏輯代數(shù)基礎(chǔ)
考試內(nèi)容：
邏輯代數(shù)的基本運算、基本公式和定理；邏輯函數(shù)及其表示方法；邏輯函數(shù)形式的轉(zhuǎn)換；邏輯函數(shù)的化簡。。
考試要求：
（1）掌握邏輯變量、邏輯函數(shù)和與、或、非三種基本運算概念。
（2）掌握邏輯函數(shù)的各種表示表示方法（真值表、邏輯函數(shù)表達式、邏輯圖、波形圖和卡諾圖）及其相互轉(zhuǎn)換。
（3）熟悉邏輯代數(shù)的基本公式和定律，掌握邏輯代數(shù)的三個基本規(guī)則（代入規(guī)則、反演規(guī)則、對偶規(guī)則）。
（4）掌握利用邏輯代數(shù)與卡諾圖對邏輯函數(shù)進行轉(zhuǎn)換與化簡。
3、邏輯門電路
考試內(nèi)容：
CMOS門電路、TTL門電路。
考試要求：
（1）了解MOS管、BJT管的開關(guān)特性。
（2）了解基本CMOS門電路和TTL門電路的電路結(jié)構(gòu)、工作原理、輸入輸出特性。
（3）掌握CMOS、TTL門電路、三態(tài)門的應(yīng)用方法。
（4）掌握邏輯門電路使用中的多余輸入端的處理。
4、組合邏輯電路
考試內(nèi)容：
組合邏輯電路的特點；組合邏輯電路的分析和設(shè)計方法；編碼器、譯碼器、數(shù)據(jù)選擇器、加法器和數(shù)值比較器；可編程邏輯器件PLD。
考試要求：
（1）掌握組合邏輯電路的分析方法。
（2）掌握組合邏輯電路的設(shè)計方法。
（3）掌握編碼器、譯碼器、數(shù)據(jù)選擇器、加法器和數(shù)值比較器的基本概念、工作原理、邏輯功能及應(yīng)用。
（4）了解可編程邏輯器件PLD結(jié)構(gòu)和分類，掌握可編程邏輯器件PLD表示方法及組合邏輯電路的PLD實現(xiàn)。
5、鎖存器與觸發(fā)器
考試內(nèi)容：
鎖存器、觸發(fā)器的邏輯功能及其描述方法。
考試要求：
（1）掌握SR、D鎖存器的邏輯功能。
（2）掌握JK、D觸發(fā)器的邏輯功能以及用特性表、特性方程、狀態(tài)圖對這些觸發(fā)器進行描述的方法。
（3）理解常用集成觸發(fā)器的異步置位、復位功能以及現(xiàn)態(tài)與次態(tài)，電平觸發(fā)與邊沿觸發(fā)等基本概念。
（4）掌握觸發(fā)器電路的波形分析方法。
6、時序邏輯電路
考試內(nèi)容：
時序邏輯電路的特點及分類；同步時序邏輯電路的分析；寄存器和移位寄存器、中規(guī)模集成計數(shù)器的邏輯功能和使用。
考試要求：
（1）了解時序邏輯電路的模型、分類和功能描述。
（2）理解同步與異步時序電路，電路現(xiàn)態(tài)與次態(tài)等時序電路概念。
（3）掌握同步時序邏輯電路的分析方法。
（4）理解常用中規(guī)模集成寄存器和移位寄存器、計數(shù)器的功能，掌握74374、74161使用方法，掌握用集成計數(shù)器74161構(gòu)成任意進制計數(shù)器的方法。
7、半導體存儲器
考試內(nèi)容：
只讀存儲器；隨機存取存儲器；存儲器容量的擴展。
考試要求：
（1）了解半導體存儲器的分類及特點，結(jié)構(gòu)組成。
（2）掌握半導體存儲器字、位、存儲容量、地址等基本概念。
（3）掌握半導體存儲器容量的擴展方法。
8、數(shù)模和模數(shù)轉(zhuǎn)換器
考試內(nèi)容：
D/A和A/D的基本概念；倒T型電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器；D/A轉(zhuǎn)換器的主要技術(shù)指標；A/D轉(zhuǎn)換器的基本原理和主要技術(shù)指標。
考試要求：
（1）理解D/A轉(zhuǎn)換器的概念，掌握倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的工作原理及輸出和輸入關(guān)系的計算。
（2）了解A/D轉(zhuǎn)換器的概念、一般工作過程以及主要類型。
（3）理解D/A、A/D轉(zhuǎn)換器的分辨率和轉(zhuǎn)換速度。
五、主要參考書目
（一）康華光主編：《電子技術(shù)基礎(chǔ)—模擬部分（第五版）》，高等教育出版社，2006年版。
（二）康華光主編：《電子技術(shù)基礎(chǔ)—數(shù)字部分（第五版）》，高等教育出版社，2006年版。
原文標題：湖南理工學院2023年碩士研究生入學考試自命題科目考試大綱
原文鏈接：https://xk.hnist.cn/info/1040/7226.htm
以上就是小編整理“2023考研大綱：湖南師范大學2023年碩士研究生入學考試自命題科目《電子線路》考試大綱”的全部內(nèi)容，想了解更多考研復試大綱信息，請持續(xù)關(guān)注本網(wǎng)站！
