考試大綱不僅能給你一個(gè)復(fù)習(xí)的方向，還能幫助你梳理整個(gè)知識(shí)脈絡(luò)，方便記憶。今天，小編為大家整理了“2023考研大綱：湘潭大學(xué)2023年招收攻讀碩士學(xué)位研究生《集成電路工藝原理》考試大綱”的相關(guān)內(nèi)容，希望對(duì)大家有所幫助！
（010011）集成電路工藝原理大綱明細(xì)
考試大綱
《集成電路工藝原理》考試大綱
一、適用專業(yè)：
電子信息（集成電路工程）
二、參考教材：
無(wú)
三、總體要求：
1，了解集成電路工藝的發(fā)展規(guī)律；
2，理解集成電路每一個(gè)工藝過(guò)程；
3，掌握集成電路制造各道工序的原理和方法；
4，熟悉集成電路制造的主要參數(shù)和檢測(cè)方法。
四、主要內(nèi)容：
1，了解集成電路發(fā)展簡(jiǎn)史和集成電路工藝的發(fā)展規(guī)律；了解二極管的制造工藝流程；理解硅的晶體結(jié)構(gòu)及其物理特性；熟悉硅片的制作工藝流程。
2，了解SiO2的結(jié)構(gòu)及性質(zhì)；理解SiO2對(duì)雜質(zhì)的掩蔽是相對(duì)性的原因，以及掩蔽層厚度的計(jì)算方法；理解硅氧化過(guò)程的基本原理，會(huì)根據(jù)熱氧化生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)計(jì)算氧化層厚度與氧化時(shí)間的關(guān)系；了解影響氧化速率的各種因素；了解Si-SiO2界面特性。
3，掌握間隙式擴(kuò)散和替位式擴(kuò)散的異同；理解菲克第一定律和菲克第二定律（擴(kuò)散方程）；掌握恒定表面源擴(kuò)散和有限表面源擴(kuò)散的異同，以及兩種擴(kuò)散方式下雜質(zhì)在硅襯底當(dāng)中的雜質(zhì)分布形式和特點(diǎn)；了解常規(guī)擴(kuò)散工藝的設(shè)備原理；了解結(jié)深和方塊電阻的測(cè)量方法。
4，掌握核碰撞和電子碰撞的異同，以及注入離子能量三個(gè)區(qū)域中的主導(dǎo)阻止機(jī)制；理解注入離子在無(wú)定形靶中的分布形式和特點(diǎn)；了解晶格損傷的分類；了解硅材料的熱退火特性，理解熱退火過(guò)程中的擴(kuò)散效應(yīng)；了解離子注入設(shè)備的構(gòu)成和基本原理。
5，掌握真空蒸發(fā)法制備薄膜的基本原理；了解各類蒸發(fā)源及它們的應(yīng)用場(chǎng)合；了解CVD技術(shù)的分類和工藝特點(diǎn)；掌握CVD的Grove模型，理解影響CVD薄膜生長(zhǎng)速率的因素；了解常壓CVD、低壓CVD和等離子體增強(qiáng)CVD的特點(diǎn)和適用場(chǎng)合。
6，了解外延的概念和分類；了解電阻率測(cè)量方法；了解光刻工藝流程的各個(gè)步驟及作用；掌握正性和負(fù)性光刻膠的異同，了解光刻膠的性能指標(biāo)；理解和掌握各類光學(xué)曝光和非光學(xué)曝光技術(shù)的特點(diǎn)和影響它們分辨率的主要因素；了解濕法腐蝕和干法刻蝕的特點(diǎn)。
參考書(shū)
無(wú)
原文標(biāo)題：湘潭大學(xué)2023年招收攻讀碩士學(xué)位研究生考試大綱
原文鏈接：https://yzbm.xtu.edu.cn/zsml/ssksdg/index/2023
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